时间：2025/12/30 13:10:11
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BSZ010NE2LS5 是英飞凌（Infineon）生产的一款功率MOSFET晶体管，采用OptiMOS? 电源技术，适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，适用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器和同步整流器等应用。BSZ010NE2LS5采用了先进的沟槽技术，确保在高频开关应用中的优异性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值）
栅极电压范围：-20V至+20V
功耗：100W
封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热
工作温度范围：-55°C至150°C
BSZ010NE2LS5 MOSFET具有多项关键特性，使其在高性能电源设计中表现出色。
首先，该器件采用了英飞凌的OptiMOS? 技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），降低了导通损耗，从而提高了整体电源转换效率。在25°C时，其典型Rds(on)为1.2mΩ，这在同类产品中处于领先水平。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，连续漏极电流可达100A，适用于高功率密度应用。此外，其耐压能力为30V，可满足多种低压功率转换需求，如DC-DC转换器和同步整流器。
该器件采用了PowerPAK SO-8双侧散热封装技术，显著提高了热性能，有助于降低系统温度并提高可靠性。这种封装方式还减少了PCB占用空间，适用于紧凑型设计。
另外，BSZ010NE2LS5具备优异的开关性能，包括低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，提高了系统效率。
最后，该MOSFET的栅极电压范围为-20V至+20V，具有良好的抗雪崩能力和过压保护能力，确保在各种工作条件下稳定运行。
BSZ010NE2LS5广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。主要应用包括服务器电源、通信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路等。由于其低导通电阻和优异的热管理性能，它特别适用于需要持续高电流输出的应用场景，如高性能计算设备和工业电源系统。此外，该器件也适用于电池管理系统和功率因数校正（PFC）电路，在提高能效和系统可靠性方面发挥着重要作用。
SiZ100DT, BSC010N03LS, IPB013N04N3, STB100N3LLH6
