型号：BSX45-16
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：11 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：44 A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：160 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF
　　输出电容（Coss）：190 pF
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220 / TO-263 (D2PAK)
　　功率耗散（Ptot）：125 W

BSX45-16具备卓越的电气性能与热管理能力，其核心优势在于采用了英飞凌成熟的超结（Superjunction）结构技术，显著降低了高压下的导通损耗。这种结构通过精确控制P柱与N柱的掺杂分布，实现了在650V耐压等级下极低的导通电阻（Rds(on)），仅为160毫欧姆，从而大幅减少功率传输过程中的I2R损耗，提高电源系统的整体效率。
　　该器件具有快速且稳定的开关响应能力，输入电容和输出电容均经过优化设计，使得在高频开关应用中能够有效降低驱动损耗和电磁干扰（EMI）。其反向恢复时间短至30纳秒，配合软恢复特性的体二极管，可有效抑制电压尖峰和振荡现象，特别适用于连续导通模式（CCM）的PFC电路中，有助于简化外围缓冲电路设计并提升系统可靠性。
　　热性能方面，BSX45-16采用高导热塑封材料与宽引脚布局，结合TO-220或D2PAK封装，确保在大电流负载下仍能维持较低的结温上升速率。即使在125W的最大功率耗散条件下，也能通过适当的散热片实现稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在异常工况如负载突变或短路情况下保持一定耐受性，提升了整个电源系统的鲁棒性。其栅极驱动电压范围典型为10V至15V，兼容标准驱动IC输出，无需额外升压电路即可实现完全导通。综合来看，BSX45-16是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的中高端功率MOSFET，非常适合用于追求小型化与高效能平衡的现代电力电子设计场景。

BSX45-16广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高能效与高可靠性的场合。常见应用包括通用AC-DC电源适配器、台式计算机与服务器电源单元（PSU）、工业自动化设备供电模块以及电信基础设施中的直流配电系统。其650V的额定电压使其成为PFC（功率因数校正）升压级电路的理想选择，特别是在连续导通模式（CCM）下工作的Boost PFC拓扑中表现优异，能够有效降低传导损耗并提升整体功率因数。
　　在LED照明领域，尤其是大功率户外照明或商业照明驱动电源中，BSX45-16凭借其低导通电阻和优良的热稳定性，可用于主开关管或同步整流控制，帮助实现更高的光效和更长的灯具寿命。此外，它也被广泛用于太阳能微逆变器、电池充电管理系统（BMS）以及UPS不间断电源等新能源相关设备中，作为核心功率切换元件发挥作用。
　　由于其封装形式支持通孔（TO-220）和表面贴装（TO-263），因此既适用于传统波峰焊生产线，也兼容现代化SMT自动装配流程，增强了其在不同制造环境中的适应性。在家电领域，如空调、洗衣机和电磁炉的变频控制模块中，该器件同样可以胜任高频开关任务，提供稳定可靠的功率控制能力。总体而言，BSX45-16是一款通用性强、适用范围广的高压功率MOSFET，是现代节能型电源设计中的关键组件之一。

IKW45N65ES7
　　SPW45N65CFAG
　　IPA65R190C7