类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 10mA, 1V
功率 - 最大:225mW
频率 - 转换:400MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-23
其它名称:BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR
厂商 |
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ON Semiconductor |