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BSV52LT1G 发布时间 时间:2022/12/7 16:44:53 查看 阅读:782

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V

    


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 10mA, 1V

    功率 - 最大:225mW

    频率 - 转换:400MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:SOT-23

    其它名称:BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR


资料

厂商
ON Semiconductor

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BSV52LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换400MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSV52LT1G-NDBSV52LT1GOSTR