类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-1.4A
　　功率耗散（PD）：3.1W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-223
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 2.4Ω（在VGS = -10V时）

BSV14C MOSFET 具有多个显著的技术特性，使其在汽车和工业应用中表现优异。首先，其漏源电压为 -100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源控制场合。其次，该器件的栅源电压为 -20V，具备较高的栅极耐压能力，提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
　　此外，BSV14C 在 -10V 的栅源电压下，导通电阻 RDS(on) 最大为 2.4Ω，这在同类器件中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的连续漏极电流为 -1.4A，适用于中等功率负载的开关控制。
　　BSV14C 采用 TO-223 封装，具有良好的热管理和封装可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应极端温度环境，适用于汽车电子系统中常见的严苛工况。
　　值得一提的是，BSV14C 内置了过温保护和短路保护功能，进一步增强了其在高可靠性系统中的适用性。这些特性使得 BSV14C 成为汽车继电器替代、电动机控制、LED 照明驱动等应用的理想选择。

BSV14C 主要应用于汽车电子、工业控制和电源管理系统。在汽车电子领域，BSV14C 常用于高边开关控制、电动窗电机控制、LED 前照灯和尾灯驱动电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其特别适合在汽车环境下的应用。
　　在工业控制方面，BSV14C 可用于 PLC 输出模块、继电器替代、传感器供电控制以及自动化设备中的负载开关管理。其低导通电阻和良好的热管理能力，有助于提高系统的整体效率和稳定性。
　　此外，BSV14C 还广泛应用于消费类电子产品中的电源管理模块，如智能照明系统、家用电器的电机控制电路等。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产线，提高制造效率。

BSP143R, BSS84, BSS84P, BSN20