时间：2025/9/14 22:03:30
阅读：13
BST50,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于中高功率开关应用。这款器件具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于诸如电源转换、电机控制和照明系统等场景。BST50,115采用SOT404（DPAK）封装，便于安装和散热。由于其优良的性能和可靠性，该器件广泛应用于工业自动化、汽车电子和消费电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：3.3A（在Tamb=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大1.3Ω（在Vgs=10V时）
最大功耗（Ptot）：30W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V（在Id=250μA时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT404（DPAK）
BST50,115作为一款N沟道功率MOSFET，其主要特性体现在高效率和可靠性方面。首先，该器件的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其次，BST50,115的最大漏源电压达到100V，使其适用于多种中高功率应用，例如DC-DC转换器和电机驱动电路。此外，该MOSFET的最大漏极电流为3.3A，在适当的散热条件下可以支持更高的电流负载，满足对电流要求较高的应用需求。BST50,115还具备良好的抗雪崩能力，提高了器件在瞬态过电压情况下的耐用性。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容常见的逻辑电平控制信号，便于与微控制器或其他数字电路配合使用。最后，BST50,115采用了SOT404（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。这种封装方式也便于焊接和安装，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和装配可靠性。
BST50,115广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、电机控制、照明系统和工业自动化设备。在电源管理方面，它可用于开关电源（SMPS）、电池充电器和DC-DC转换器，以实现高效能的能量转换。在电机控制方面，BST50,115可作为H桥电路的一部分，用于控制直流电机或步进电机的转向和速度。在照明系统中，该MOSFET可作为LED驱动器的开关元件，提供稳定可靠的电流控制。此外，在工业自动化设备中，BST50,115可用于继电器驱动、传感器接口和可编程逻辑控制器（PLC）中的功率输出模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和LED车灯控制等应用。
IPB10N06S4-03, FQP30N06L, IRF540N
