类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-130mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-520mA
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5Ω @ VGS = -10V；9.5Ω @ VGS = -4.5V；13Ω @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：17pF @ VDS=10V
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关闭时间（Toff）：约10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS84Z作为一款高性能的P沟道MOSFET，在多个方面表现出卓越的技术优势。首先，其低阈值电压特性使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下实现有效的导通与关断操作，这对于现代低功耗系统尤为重要。典型阈值电压范围为-0.8V至-2.0V，意味着即使在3.3V或更低的逻辑电平系统中也能可靠工作，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器IO口驱动。其次，BSS84Z具备相对较低的导通电阻，在VGS=-10V时RDS(on)仅为6.5Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，特别适用于对功耗敏感的应用场景。
　　此外，该器件采用了先进的硅晶圆制造工艺，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其最大工作结温可达+150°C，支持在高温环境下持续运行而不发生性能退化。同时，较小的封装尺寸（SOT-23）不仅节省了PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。输入电容仅为17pF左右，表明其具有较快的开关响应速度，适合高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。
　　BSS84Z还具备较强的抗静电能力（ESD保护）和栅极耐压能力（±20V VGS），增强了在实际应用中的鲁棒性。即使在瞬态电压波动或反向连接情况下，也能有效防止器件损坏。其漏源击穿电压高达-50V，提供了足够的安全裕度，适用于多种电压等级的电源系统。综合来看，BSS84Z以其小体积、高可靠性、低功耗和优异的电气性能，成为众多设计师在模拟开关、电源管理和信号路由设计中的首选器件之一。

BSS84Z主要应用于需要高效、小型化和低功耗控制的电子系统中。一个典型用途是作为高侧负载开关，用于控制电池供电设备中不同模块的电源通断，例如在智能手机中控制显示屏背光、摄像头模组或传感器的供电。由于其P沟道特性，只需将栅极拉低即可导通，简化了驱动电路设计，避免了复杂的电荷泵电路需求。此外，它也常用于电源多路复用器中，实现主备电源之间的自动切换，保障系统持续供电。
　　在便携式消费类电子产品中，BSS84Z可用于LED驱动电路，作为恒流源的开关元件，精确控制发光强度和开关时序。它还可用于信号路径切换，比如音频信号选择或多路数据总线隔离，利用其低导通电阻和快速响应特性保证信号完整性。在嵌入式系统中，该器件常被用来实现GPIO扩展或电平转换功能，特别是在I2C、SPI等串行通信接口中用于双向电平匹配。
　　工业控制领域中，BSS84Z可用于小型继电器或电磁阀的驱动电路，作为初级开关元件，隔离微控制器与高功率负载。其稳定的温度特性和宽工作温度范围使其能在恶劣环境中可靠运行。此外，在DC-DC转换器和LDO稳压器中，BSS84Z可作为启停控制开关，用于动态调节电源输出，提升系统能效。总之，凭借其灵活的电气特性和紧凑的封装形式，BSS84Z广泛服务于通信设备、医疗仪器、智能家居、汽车电子等多个行业。

2N7002K, FDN340P, DMG2302U, SI2302DS, TSM201