时间：2025/8/25 2:50:23
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FQP75N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor生产。该器件设计用于高电流、高电压应用，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。FQP75N10的封装形式通常为TO-220，适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：75A
漏-源电压（Vds）：100V
栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大0.015Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
FQP75N10具有低导通电阻，使得在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的开关速度较快，适用于高频开关应用。其高耐压能力（100V）使其适用于各种电源管理和电机控制应用。FQP75N10还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
FQP75N10的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的逻辑电平进行驱动，从而简化了控制电路的设计。此外，该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于需要高功率密度的设计。其优异的热性能使得在高负载条件下也能保持较低的温升，从而提高了系统的稳定性。
FQP75N10广泛应用于各种电力电子设备中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制器、逆变器以及电池管理系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换系统的理想选择。此外，该器件也常用于工业自动化设备、电动汽车和可再生能源系统中的功率控制部分。
IRF1405, FDP75N10, STP75NF75
