BSS84WT1G 时间：2025/8/14 1:24:00 阅读：16

BSS84WT1G是一种常用的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率的开关应用。该器件采用先进的TrenchFET技术，能够在相对较小的封装中提供高性能和低导通电阻。BSS84WT1G的封装形式为SOT-23，这使得它非常适合用于空间受限的电子设计中，例如便携式设备和电源管理系统。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：-20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.5Ω（在VGS = -10V时）
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BSS84WT1G具有多个关键特性，使其在各种电子设计中具有很高的实用性。首先，其低导通电阻特性可以显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其次，该器件具有较高的开关速度，适用于需要快速切换的高频应用。
　　此外，BSS84WT1G的工作温度范围较宽，能够在极端环境条件下稳定工作，这使其适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。该器件还具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度而不发生性能退化。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压的兼容性。BSS84WT1G可以在-10V至0V的栅极电压范围内正常工作，因此可以与常见的逻辑电平驱动电路兼容。此外，该器件的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。
　　最后，BSS84WT1G具有较高的耐用性和长期稳定性，适合用于要求高可靠性和长使用寿命的应用场景。

应用

BSS84WT1G常用于各种电子设备中，包括电源管理电路、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和信号切换电路。由于其低导通电阻和高开关速度，它特别适合用于需要高效能和快速响应的电源管理系统。
　　在便携式设备中，BSS84WT1G可用于电池保护电路和电源切换电路，以延长电池寿命并提高设备的可靠性。在工业自动化和控制系统中，它可以用于驱动小型继电器、传感器和执行器。此外，BSS84WT1G还可用于通信设备中的电源管理和信号路由。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源管理系统、LED照明控制和传感器接口电路。由于其宽工作温度范围和高可靠性，BSS84WT1G也适用于需要在恶劣环境中工作的应用。