时间：2025/6/14 8:53:58
阅读：5
S4B-EH是一种基于霍尔效应的线性霍尔传感器芯片，广泛应用于需要高精度磁场检测的场景。该芯片能够将磁场强度的变化转化为成比例的电压输出信号，适用于工业、汽车和消费电子领域中的位置检测、速度测量以及电流感应等应用。
该器件采用了先进的BiCMOS工艺制造，具有较高的灵敏度和较低的温度漂移特性。其内置的误差补偿电路能够确保在宽温度范围内提供稳定的性能表现。此外，S4B-EH还具备短路保护和过载保护功能，提升了其在复杂环境下的可靠性。
工作电压：3.8V至30V
静态工作电流：6mA
磁灵敏度：2.5mV/Gauss
带宽：8kHz
工作温度范围：-40℃至150℃
输出阻抗：5Ω
S4B-EH具有以下显著特性：
1. 高灵敏度设计使其能够在微弱磁场环境下进行精确检测。
2. 宽电源电压范围，适合多种供电条件的应用场景。
3. 内置温度补偿电路，保证了在不同温度条件下的一致性和稳定性。
4. 输出信号为模拟电压形式，便于与后续信号处理电路对接。
5. 封装采用小型化的TO-92封装，方便安装和使用。
6. 具备良好的电磁兼容性(EMC)，可适应恶劣的工作环境。
7. 短路保护和过载保护增强了器件的安全性和使用寿命。
S4B-EH主要应用于以下领域：
1. 汽车行业：用于变速箱档位检测、油门踏板位置传感以及电动助力转向系统中的角度测量。
2. 工业自动化：实现非接触式的位置、距离或速度测量，例如伺服电机反馈控制。
3. 消费电子产品：用于触摸滑块、游戏控制器或者智能家居设备中的磁场感应功能。
4. 医疗设备：如注射泵中的活塞位置监控。
5. 电力系统：监测高压电缆周围的磁场以评估电流大小。
S4B-EHA
S4B-EHB
S4B-EHC
