类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-130mA（在VGS = -10V时）
　　导通电阻(RDS(ON))：最大值约为3.5Ω（在VGS = -10V时）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.45V至-1.5V
　　最大功耗(PD)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

BSS84WT/R7作为一款P沟道MOSFET，具有多项关键特性以满足广泛应用需求。首先，其较低的导通电阻（RDS(ON)）确保在导通状态下功耗最小化，从而提高电源效率。其次，该器件支持快速开关操作，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。此外，BSS84WT/R7具备良好的热稳定性和较高的可靠性，即使在较为严苛的工作环境下也能保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持-0.45V至-1.5V的阈值电压，确保其在多种控制电路中都能有效工作。由于其SOT-23封装体积小巧，BSS84WT/R7非常适合空间受限的便携式电子设备。该器件的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，可在多种环境条件下稳定运行。
　　另外，BSS84WT/R7具有较高的抗静电能力，能够有效防止在操作过程中因静电放电而损坏。其额定漏源电压为-30V，可承受一定的过压情况，适用于多种电源管理场景。

BSS84WT/R7适用于多种电子设备和系统，尤其是在需要高效电源管理和低功耗设计的应用中。常见应用包括电池供电设备中的负载开关控制、DC-DC转换器中的同步整流器、逻辑电平转换电路以及各种低电压开关应用。该器件还可用于电机控制、LED驱动和小型电子设备的电源管理模块。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备，BSS84WT/R7可用于电源管理单元，实现对不同子系统的独立电源控制，以提高能效并延长电池寿命。在工业控制系统中，该MOSFET可用于传感器电源开关、小型继电器替代以及信号路由控制。此外，在通信设备和消费类电子产品中，它也常用于各种低电压、中等电流的开关任务。

BSS84P, DMG2305UX-7, FDN340P, ZXMP2010F, 2N7002PW