时间：2025/8/1 19:09:03
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BSS84P-L6327 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TSDSO-8封装。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和高可靠性，适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等多种应用场景。
类型：P沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：1.8A
导通电阻(Rds(on))：0.27Ω @ Vgs = 10V
阈值电压(Vgs(th))：1.2V ~ 2.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSDSO-8
BSS84P-L6327 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。
其P沟道结构设计适用于高边开关应用，例如负载开关和电源管理系统。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从±20V的栅极电压操作，增加了其在不同驱动电路中的兼容性。
采用TSDSO-8封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用，如便携式电子设备和嵌入式系统。
该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
由于其高频响应能力，BSS84P-L6327 也适用于DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。
该器件广泛应用于电源管理电路中，如电池供电设备、便携式电子产品和电源适配器中的负载开关控制。
用于DC-DC转换器中的高边开关，提供高效的电压转换能力。
在电机控制和继电器驱动电路中作为开关元件使用。
适用于工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制模块。
由于其封装小巧，也适用于空间受限但需要高效能功率开关的嵌入式系统。
Si4435BDY-T1-GE3, BSS84PTN, BSS84PW, BUK9815-30AE
