BSS84LT1G-PD 时间：2025/8/13 13:08:09 阅读：28

BSS84LT1G-PD 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、低电压应用，适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等多种电子系统。该MOSFET采用小型表面贴装封装（SOT-23），适用于空间受限的设计。该器件具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，适合用于便携式设备、电源适配器、电池供电系统和逻辑接口电路。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS = -10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：-1.5V ~ -3.0V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

BSS84LT1G-PD 是一款性能优异的P沟道MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，使其在低功率应用中表现出色。该器件在-30V的漏源电压下工作，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理场合。其导通电阻在-10V的栅源电压下仅为5Ω，确保在低电流负载下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，增强了其在不同电路配置中的适用性。其导通阈值电压在-1.5V至-3.0V之间，允许使用低电压控制器或逻辑IC直接驱动，简化了驱动电路的设计。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。BSS84LT1G-PD 的额定功耗为300mW，在正常工作条件下可提供稳定的性能。其工作温度范围为-55°C至150°C，确保在恶劣环境下仍能正常运行。此外，该MOSFET具有良好的抗静电能力（ESD保护），提高了器件在实际应用中的鲁棒性。

应用

BSS84LT1G-PD 主要应用于低功耗电源管理系统、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备、逻辑接口电路以及小型电源适配器等场合。由于其低导通电阻和快速开关特性，它非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。在这些设备中，该MOSFET可用于控制电池供电路径、实现电源隔离或作为高侧开关使用。此外，BSS84LT1G-PD 也可用于传感器接口电路、LED驱动电路以及电机控制电路中，提供高效的功率控制解决方案。其SOT-23封装形式也使其成为高密度PCB设计的理想选择。