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SC550007VPV16A 发布时间 时间:2025/9/3 11:52:15 查看 阅读:10

SC550007VPV16A 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关应用和功率管理领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):16A
  最大漏源电压(Vds):55V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大为7.0mΩ @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6
  功率耗散(Ptot):60W

特性

SC550007VPV16A 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽式结构,使得在保持高电流承载能力的同时,实现了更小的芯片尺寸,从而减少了封装尺寸和系统的整体成本。
  该MOSFET具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并具备较强的热稳定性,避免因过热而损坏。其额定漏源电压为55V,适用于中等电压功率应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。
  此外,SC550007VPV16A 采用PowerFLAT 5x6封装,这种封装具有良好的散热性能,同时节省空间,非常适合高密度PCB设计。栅极驱动电压范围为±20V,适用于标准逻辑电平驱动电路,同时也支持高边和低边开关配置。
  由于其优异的性能和可靠性,这款MOSFET广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备等领域。

应用

SC550007VPV16A 主要应用于需要高效率、高电流和紧凑设计的功率管理系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源管理模块以及汽车电子中的功率控制单元。
  在汽车应用中,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)以及48V轻混系统中的功率转换电路。在工业领域,它适用于PLC电源模块、伺服驱动器和不间断电源(UPS)等设备。
  此外,由于其高频率工作能力和低导通损耗,该MOSFET也常用于高频开关电源和同步整流拓扑中,以提高电源转换效率并减小磁性元件的体积。

替代型号

IPD160N06N3 G, STD16NF06LT4, STB16NF06LT4, FDP16N06

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