时间：2025/9/3 11:52:15
阅读：22
SC550007VPV16A 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率管理领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：16A
最大漏源电压（Vds）：55V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大为7.0mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
功率耗散（Ptot）：60W
SC550007VPV16A 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式结构，使得在保持高电流承载能力的同时，实现了更小的芯片尺寸，从而减少了封装尺寸和系统的整体成本。
该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并具备较强的热稳定性，避免因过热而损坏。其额定漏源电压为55V，适用于中等电压功率应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。
此外，SC550007VPV16A 采用PowerFLAT 5x6封装，这种封装具有良好的散热性能，同时节省空间，非常适合高密度PCB设计。栅极驱动电压范围为±20V，适用于标准逻辑电平驱动电路，同时也支持高边和低边开关配置。
由于其优异的性能和可靠性，这款MOSFET广泛应用于汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备等领域。
SC550007VPV16A 主要应用于需要高效率、高电流和紧凑设计的功率管理系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及汽车电子中的功率控制单元。
在汽车应用中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）以及48V轻混系统中的功率转换电路。在工业领域，它适用于PLC电源模块、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备。
此外，由于其高频率工作能力和低导通损耗，该MOSFET也常用于高频开关电源和同步整流拓扑中，以提高电源转换效率并减小磁性元件的体积。
IPD160N06N3 G, STD16NF06LT4, STB16NF06LT4, FDP16N06
