类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω @ VGS = -10V, 约5.5Ω @ VGS = -4.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

BSS84L1T MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的栅极氧化层设计使其能够承受高达±20V的栅源电压，提供了良好的电压稳定性和抗干扰能力。此外，BSS84L1T的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其能够在极端温度条件下稳定运行，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　BSS84L1T的SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和焊接，提高了PCB布局的灵活性。由于其低电流能力（最大连续漏极电流为-100mA），该器件特别适合用于低功率开关应用，例如控制小型负载或作为信号路径中的开关元件。此外，该MOSFET具有快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性，确保在高负载条件下也能保持较低的温升。这对于延长器件寿命和提高系统可靠性至关重要。同时，该器件具有较低的阈值电压（VGS(th)），通常在-0.45V至-1.4V之间，使得它可以通过标准逻辑电平（如3.3V或5V）轻松驱动，无需额外的栅极驱动电路，从而简化了设计并降低了成本。

BSS84L1T广泛应用于多个电子领域，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。其主要应用包括便携式电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，BSS84L1T可以作为负载开关或电池保护电路的一部分，控制电源的分配和管理。此外，该器件也常用于DC-DC转换器中的同步整流器或开关元件，以提高转换效率并减小电路体积。
　　在工业控制领域，BSS84L1T可用于小型电机驱动、传感器接口电路以及各种低功率开关应用。由于其良好的热稳定性和宽广的工作温度范围，它也非常适合在环境恶劣的工业环境中使用。在通信设备中，BSS84L1T可以用于电源控制和信号路径管理，确保设备在不同工作状态下的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、音频放大器和各类电池供电设备的电源管理系统中。

2N7002K, BSS84, FDN340P