时间：2025/8/14 21:01:45
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BSS84DW T/R是一款由Infineon Technologies生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场合。该器件采用小型化的TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和电气性能，适合在空间受限的设计中使用。BSS84DW T/R的封装形式为SOT-363（也称为SC-70），适用于表面贴装工艺。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-100mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-363（TSOP）
BSS84DW T/R具有多项优良的电气和物理特性，适合多种应用场景。
首先，该MOSFET的最大漏源电压为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于低功率电源开关和信号控制电路。其栅源电压范围为±20V，确保在各种驱动条件下器件的稳定性和可靠性。
其次，BSS84DW T/R的连续漏极电流为-100mA，适用于小功率负载的控制，如LED驱动、继电器控制、传感器电源管理等应用。该器件的导通电阻较低，在工作状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件采用SOT-363封装，具有紧凑的尺寸和良好的热管理能力，适合高密度PCB布局。其封装材料符合RoHS标准，支持环保设计。
在工作温度方面，BSS84DW T/R可在-55°C至150°C的范围内稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用，具备较强的环境适应能力。
BSS84DW T/R广泛应用于以下领域：
1. 电源管理电路：用于低功率DC-DC转换器中的负载开关或同步整流器。
2. 电池供电设备：如便携式电子产品、智能手表和穿戴设备，用于控制电池供电路径。
3. 信号切换：适用于模拟或数字信号的切换控制，如多路复用器或逻辑电平转换。
4. 工业控制系统：用于PLC模块、传感器接口和小型继电器驱动。
5. 汽车电子：用于车载电源管理系统、车灯控制和车载娱乐系统的电源开关。
BSS84, BSS84P, BSS84S
