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BSS84AKW,115 发布时间 时间:2025/9/15 2:17:19 查看 阅读:12

BSS84AKW,115 是由Nexperia(原飞利浦半导体部门)生产的一款P沟道增强型MOSFET晶体管,采用TSSOP封装,适用于中低功率开关和逻辑电平转换应用。

参数

类型:P沟道MOSFET
  工作电压:最大-30V
  工作电流:最大-100mA(连续漏极电流)
  导通电阻:最大1.2Ω(在Vgs=-10V时)
  栅极阈值电压:-0.4V至-1.5V
  封装形式:TSSOP
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

BSS84AKW,115具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性,适用于电池供电设备和低电压控制系统。
  这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,可在-1.8V至-20V之间工作,使其适用于多种数字和模拟电路应用。
  此外,其小型TSSOP封装有助于节省PCB空间,适合用于便携式电子产品和高密度电路设计。
  该器件具有良好的热稳定性和静电放电(ESD)保护能力,能够在严苛环境下稳定运行。

应用

该器件常用于电源管理、负载开关、逻辑电平转换、电池供电设备、消费类电子产品以及工业控制设备中。
  在电源管理应用中,BSS84AKW,115可用于高效能DC-DC转换器和负载开关,帮助降低功耗并提高系统稳定性。
  在数字电路中,它可用作电平转换器,将低电压控制信号转换为高电压输出,驱动外部负载。
  此外,它还可用于LED驱动、继电器替代和小型电机控制等应用场景。

替代型号

BSS84LT,115; BSS84W,115; BSS84P,115; FDS6680; AO4403

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BSS84AKW,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 100mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds36pF @ 25V
  • 功率 - 最大260mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-8395-6