时间：2025/8/20 19:27:49
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NTMFS0D5N04XLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门用于高效率、高密度的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟道技术，提供优异的导通电阻（RDS(on)）和开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统。NTMFS0D5N04XLT1G采用紧凑型PowerPAK? SO-8封装，具有良好的热性能和空间节省优势，适用于各种中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：110A（在Tc=25°C）
导通电阻(RDS(on))：最大5.5mΩ（在VGS=10V）
功耗(PD)：3.5W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK? SO-8
晶体管配置：单
NTMFS0D5N04XLT1G具备多项优异的电气和物理特性，能够满足高要求的电源管理需求。其最大导通电阻仅为5.5mΩ，在VGS=10V时能够显著降低导通损耗，提高系统效率。由于采用了先进的Trench沟槽技术，该MOSFET在保持低导通电阻的同时还具备优异的开关性能，适用于高频开关应用。NTMFS0D5N04XLT1G的最大漏源电压为40V，能够支持多种中压电源应用，包括同步整流、DC-DC转换器以及电池管理系统。其连续漏极电流高达110A，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该器件采用PowerPAK? SO-8封装，具有出色的热管理能力，可在有限空间内实现高效散热。NTMFS0D5N04XLT1G的栅源电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力和稳定性，同时其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
NTMFS0D5N04XLT1G广泛应用于需要高效、高密度电源管理的场景，包括但不限于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业控制系统以及汽车电子系统。其优异的导通电阻和高频开关性能使其在高频电源转换应用中表现出色，能够有效降低系统损耗，提高整体能效。
Si7157DP-T1-GE3, FDS6680, BSC050N04LS G, IPB051N04N3 G, NTD14N04RT
