时间：2025/12/26 9:40:59
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BSS8402DW-7是一款由Nexperia（原飞利浦半导体）生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型表面贴装封装（TSOP-6或SOT-363），专为高密度、低功耗的电源管理和信号开关应用设计。该器件基于成熟的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及需要高效能功率控制的场合。BSS8402DW-7的额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-1.9A（在TC=25°C条件下），适合用于负载开关、电源路径管理、电平转换器及电机驱动等场景。其封装形式支持自动装配，符合RoHS环保标准，并具有良好的热性能和电气隔离能力。此外，该器件在栅极阈值电压、跨导和输入电容方面均经过优化，能够在低电压逻辑控制下实现高效的功率切换。由于其小尺寸和高性能特性，BSS8402DW-7常被用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端中，作为关键的功率开关元件。
类型：P沟道
额定电压（VDS）：-20V
额定电流（ID）：-1.9A
导通电阻（RDS(on)）：130mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻（RDS(on)）：170mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻（RDS(on)）：220mΩ @ VGS = -1.8V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.85V ~ -1.5V
输入电容（Ciss）：190pF @ VDS = -10V
功率耗散（Ptot）：1W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-363（SC-88）
BSS8402DW-7采用先进的TrenchMOS工艺制造，这种结构通过在硅片上形成垂直沟道来显著降低导通电阻并提高单位面积的电流承载能力。其P沟道特性使得它在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现电源通断控制，从而简化了系统设计并降低了整体成本。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为130mΩ，这意味着在大电流通过时产生的功耗较低，有助于提升系统的能效并减少散热需求。即使在较低的栅极驱动电压如-1.8V下，其RDS(on)仍保持在220mΩ左右，表现出优异的低压驱动能力，适用于3.3V、2.5V甚至1.8V逻辑电平直接驱动的应用场景。
器件的开关特性也极为出色，具有较快的上升和下降时间，能够有效减少开关过程中的交越损耗，特别适合高频PWM控制应用。其输入电容仅为190pF，在高速开关操作中对驱动电路的负载较小，有利于提升整体系统的响应速度。同时，BSS8402DW-7具备良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣环境下的运行稳定性。热阻方面，其结到环境的热阻约为150K/W，结合仅1W的最大功率耗散能力，可在紧凑空间内实现可靠的热管理。
该MOSFET还具有低漏电流和高关断阻抗，确保在关闭状态下几乎不消耗静态电流，这对于延长电池供电设备的续航时间至关重要。其封装采用无铅设计，符合现代绿色电子产品的环保要求，并支持回流焊工艺，便于大规模自动化生产。总体而言，BSS8402DW-7是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的P沟道MOSFET，非常适合用于对空间和效率有严格要求的现代电子系统。
BSS8402DW-7广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关或电平转换器的核心组件。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，该器件常用于电池电源路径管理，控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统休眠模式。其快速开启和关闭能力使其可用于LED背光驱动电路中的开关控制，配合PWM调光实现亮度调节。在工业控制领域，BSS8402DW-7可用于小型继电器驱动、传感器电源控制或I/O端口保护电路中，提供可靠的信号隔离与过流防护。
由于其支持逻辑电平直接驱动，该器件也常见于微控制器与外围设备之间的接口电路中，例如用于USB电源开关、SD卡电源控制或音频线路的选择开关。在多电源系统中，它可以作为反向电流阻断器使用，防止电流倒灌至主电源轨，从而保护上游电源模块。此外，在DC-DC转换器的同步整流拓扑中，虽然N沟道MOSFET更为常见，但在某些特定配置下，BSS8402DW-7也可用于辅助功率路径控制。其高集成度和小尺寸特性使其成为空间受限应用的理想选择，如无线耳机充电仓、健康监测设备和智能家居传感器节点等。
BSS84, BSS84N, DMG2302U, FDN340P, ZXMP6004F
