类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

KDR731S IC具有多个显著的技术特性，使其适用于高要求的功率转换和控制场景。首先，其低导通电阻RDS(on)可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，尤其适用于高频开关应用。其次，该MOSFET支持高达30A的连续漏极电流，能够满足大功率负载的驱动需求。
　　该器件的耐压能力达到60V，适用于多种电压等级的电源系统，如12V、24V和48V直流系统。此外，其栅源电压容限为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，便于与多种驱动电路配合使用。
　　采用TO-220封装形式，使KDR731S具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在高功率密度和高温环境下工作。该封装也便于安装散热片，从而进一步提升其热管理能力。
　　另外，KDR731S具有较高的可靠性，在工业温度范围内（-55°C至+150°C）均可稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。

KDR731S IC主要应用于需要高效率、高电流和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，KDR731S在电动车充电系统、LED照明驱动器、UPS不间断电源、服务器电源和消费类电源适配器中也有广泛应用。同时，其封装形式便于安装和散热管理，适合批量生产和长期运行的工业设备使用。

SiHF731, IRFZ44N, FDP6675, AON6414