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BSS84 发布时间 时间:2024/7/23 14:41:20 查看 阅读:257

BSS84是一款N沟道增强型场效应晶体管,由射极、栅极和漏极三个引脚组成,其尺寸为SOT-23封装。BSS84广泛用于低电压、低功耗、高速开关应用,例如电池供电设备、无线电通讯设备、音频放大器和LED驱动器等。
  BSS84的主要特点是其低电阻、低门极电容和快速开关速度。其最大漏极电流为130mA,最大漏极电压为50V,最大功耗为100mW。此外,BSS84还具有良好的线性度和温度稳定性,使其在各种应用场合中都有很好的性能表现。
  BSS84在使用时需要注意的是,栅极电压不能超过最大额定电压,否则会导致器件损坏。此外,BSS84的漏极电流也需要根据具体应用场景进行选择,以免超过其额定值。

参数和指标

1、额定值
  BSS84N MOSFET的额定值包括最大漏极电压(VDSmax)、最大漏极电流(IDmax)、最大功率耗散(Pmax)等。
  2、电气特性
  BSS84N MOSFET的电气特性包括漏极电阻(RDSon)、门极电压(VGS)、漏极电流(ID)等。
  3、封装形式
  BSS84N MOSFET的封装形式包括SOT-23等,不同的封装形式有不同的尺寸和引脚布局。

结构组成

BSS84N MOSFET由源极、漏极和门极组成。源极和漏极之间有一个沟道,沟道的导电性可以通过控制门极电压来改变,从而控制漏极电流的大小。门极和源极之间有一层绝缘层,通常采用氧化硅。

原理

BSS84N MOSFET的工作原理是基于PN结的导电性与金属-绝缘体-半导体结构的导电性不同而设计的。
  当漏极电压为0时,沟道中没有自由电子,漏极电流为0。当给门极施加正电压时,沟道中的自由电子会被吸引到门极附近,沟道中形成一个导电通道,从而导致漏极电流增加。当门极电压增加到一定程度时,沟道中的自由电子浓度达到最大值,漏极电流也达到最大值。

设计流程

1、确定应用场景和要求。
  2、选择合适的BSS84N MOSFET,根据额定值和电气特性进行筛选。
  3、确定电路拓扑和参数。
  4、进行电路仿真和优化。
  5、选择合适的附加元件,如电容、电感等。
  6、进行PCB设计和布局。
  7、进行电路测试和调试。

注意事项

1、注意BSS84N MOSFET的最大额定值,避免过压和过流。
  2、注意BSS84N MOSFET的静态电压容限,避免静电击穿。
  3、注意BSS84N MOSFET的温度容限,避免过温。
  4、注意BSS84N MOSFET的封装形式和引脚布局,避免错误焊接。
  总之,BSS84N MOSFET是一种重要的半导体器件,具有广泛的应用前景。在设计和应用中,需要充分了解其参数、指标、结构组成、原理、设计流程、应用及注意事项等方面的知识,才能有效发挥其优势,提高电路的性能和可靠性。

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BSS84参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 100mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
  • 功率 - 最大360mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS84TR