BSS84 T/R 时间：2025/8/15 4:12:55 阅读：17

BSS84 T/R 是一款由英飞凌（Infineon）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用中的开关元件。这款MOSFET具有小巧的封装形式，适合高密度PCB布局，并以其高可靠性和低导通电阻而著称。T/R表示该器件是以卷带（Tape and Reel）形式包装，适用于自动化贴片生产。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏-源电压（VDS）：-100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.25Ω（在VGS = -10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BSS84 T/R MOSFET具备多项优良特性，适合多种电子应用。首先，其P沟道结构使得它在低边和高边开关应用中都能有效工作，尤其是在高边开关设计中无需额外的电荷泵电路。其次，该器件具有较低的导通电阻，在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，BSS84 T/R的栅极驱动电压范围较宽（通常在-10V至-20V之间），便于与不同类型的控制器或驱动电路兼容。
　　该MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的散热性能。其最大漏极电流为100mA，适用于中低功率的负载开关、电源管理、DC-DC转换器以及电池供电设备中的控制电路。
　　在可靠性方面，BSS84 T/R具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于工业和汽车电子等对环境适应性要求较高的场景。此外，其±20V的栅-源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，降低了因电压波动而导致器件损坏的风险。

应用

BSS84 T/R 适用于多种电子设备和系统中，尤其在需要高效能、小体积功率开关的场合表现优异。典型应用包括电池供电设备的电源管理电路、负载开关控制、DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动电路、LED照明调光控制以及汽车电子中的各种控制模块。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，BSS84 T/R用于管理不同的电源域，实现低功耗运行。在工业控制系统中，它可以作为小型继电器的替代方案，提供更快的开关速度和更长的使用寿命。此外，该器件还广泛用于通信设备中的电源转换模块，以提高能效并减少热量产生。