类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：130mA
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 5Ω @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS84 IC 具备一系列优良的电气和物理特性，使其在众多应用中表现出色。首先，它的导通电阻较低，在 Vgs = -10V 时最大仅为 5Ω，这使得在小电流应用中能够减少功率损耗，提高整体效率。其次，该器件的最大漏极电流为 130mA，适用于低功率开关应用，如便携式电子设备中的电源管理模块。此外，BSS84 的最大漏源电压为 -30V，能够承受一定的电压波动，增强了器件的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极电压范围为 ±20V，允许在不同的控制电路中灵活使用。由于其采用 SOT-23 小型封装，BSS84 非常适合高密度 PCB 设计，尤其是在空间受限的应用中，如智能手机、穿戴设备和传感器模块。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
　　此外，BSS84 还具有较快的开关速度，适合用于数字控制电路中的信号切换。它的驱动能力适中，适用于与逻辑 IC 直接连接，而无需额外的缓冲电路。这在简化设计和降低成本方面具有明显优势。

BSS84 主要用于低电压、低电流的开关电路中。常见的应用包括电池供电设备的电源管理、小型电机控制、LED 驱动电路、逻辑电平转换以及各种类型的负载开关。此外，它也常用于传感器电路、继电器替代方案和小型家用电器的控制系统中。由于其封装小巧，BSS84 特别适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手表、无线耳机和 IoT 设备。

2N3906, BC327, FDN340P