BSS84,215 时间：2025/9/15 3:52:13 阅读：16

BSS84,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑驱动等电子电路中。该器件采用小型 SOT23 封装，具有较低的导通电阻、快速开关特性以及高可靠性，适合用于便携式设备、电池供电系统和低电压控制电路。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：-30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4 Ω（在 VGS = -10 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.4 V（最大）
　　功耗（Ptot）：300 mW
　　封装类型：SOT23

特性

BSS84,215 作为一款 P 沟道 MOSFET，具有多项优异的电气和物理特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功耗极低，适合用于需要高效能转换的电路设计。此外，该器件具有快速的开关响应时间，适用于数字控制和高速开关应用。由于其采用 SOT23 小型封装，因此在空间受限的 PCB 布局中具有很高的灵活性。
　　这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（-20 V 至 +20 V），提高了其在不同电压控制系统中的适应性。同时，其阈值电压较低（最大 -1.4 V），能够在较低的控制电压下实现有效的导通状态，适合用于低功耗、低电压设计场景。
　　BSS84,215 还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，提升了其在工业和消费类电子产品中的可靠性。器件内部结构优化，具有较高的耐用性和长期稳定性，适用于长时间运行的系统。

应用

BSS84,215 广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要低功耗、小尺寸和高效能的场合。典型应用包括电池供电设备中的负载开关、LED 驱动电路、逻辑电平转换器、电源管理系统以及各类小型电子模块的控制回路。
　　在便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BSS84,215 可用于控制不同功能模块的电源供应，实现节能和延长电池寿命的目的。此外，在嵌入式系统和微控制器外围电路中，该器件常用于驱动继电器、传感器、小型电机等外设。
　　由于其封装小巧、性能稳定，该 MOSFET 也广泛用于各种消费类电子产品的接口控制电路中，如 USB 接口电源控制、低电压信号切换等。同时，它也可用于工业控制系统中，如 PLC、传感器模块和小型继电器控制等场合。