类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：-20V
　　最大漏极电流（ID）：-8A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、PG-TO220-3

BSS73 MOSFET具有多项显著的电气和机械特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其高耐压能力使得BSS73能够在高压环境下稳定工作，漏源电压（VDS）可达-100V，栅源电压（VGS）最大为-20V，这为设计工程师提供了较大的设计余量，适用于多种电源转换和控制应用。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在大电流应用中，低RDS(on)意味着更少的热量产生，从而提高了整体系统的可靠性和寿命。
　　此外，BSS73的最大漏极电流为-8A，能够在短时间内承受较大的负载电流，适用于需要瞬时高功率输出的场合。该器件的功率耗散能力为40W，结合其良好的热管理特性，使其在高负载条件下也能保持稳定的工作状态。BSS73的封装形式为TO-220或PG-TO220-3，这种封装结构不仅提供了优异的散热性能，还简化了PCB布局和机械安装过程，提高了系统的整体设计灵活性。
　　从工作温度范围来看，BSS73可在-55°C至150°C的宽温范围内正常工作，适应了各种严苛的工业环境。无论是户外设备还是高温工业控制系统，BSS73都能保持稳定的电气性能。同时，该器件的制造工艺确保了其具有较长的使用寿命和良好的抗老化能力，适合长期运行的应用场景。

BSS73 MOSFET广泛应用于多个领域，主要包括电源管理、开关电源、直流电机控制、电池管理系统以及工业自动化控制等。在电源管理系统中，BSS73常用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率并降低能耗。在开关电源应用中，BSS73可用于构建高效率的功率开关电路，满足对体积和效率的双重需求。
　　在直流电机控制领域，BSS73可作为H桥电路中的功率开关器件，用于控制电机的正反转和调速。其高电流承载能力和快速开关特性使其在电机驱动应用中表现出色。此外，在电池管理系统中，BSS73常用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。工业自动化控制系统中，BSS73也常用于继电器替代、电磁阀控制和PLC输出模块设计，提供高效、可靠的开关解决方案。

IRF9540、BUZ73、BUZ74、BUZ76