时间：2025/9/14 21:56:22
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BSS63,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关应用。该器件采用小型 SOT23 封装，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电路中。BSS63,215 在电源管理、信号切换以及逻辑控制电路中表现优异。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：20 V
漏极电流（ID）：100 mA
导通电阻（RDS(on)）：5.5 Ω @ VGS=10V
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT23
BSS63,215 具有低导通电阻和高开关速度的特性，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，提高了其在不同控制电路中的适应性。此外，其 SOT23 小型封装形式有助于节省 PCB 空间，适用于便携式设备和高密度电路设计。
BSS63,215 的热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其高击穿电压（VDS 为 100V）使其适用于中高压控制电路，如电源开关和负载管理。该器件还具备较强的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的应用。
在可靠性方面，BSS63,215 通过了严格的工业标准测试，具有良好的长期稳定性和耐用性。这使得它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到了广泛应用。
BSS63,215 主要用于电源管理电路、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、负载开关以及逻辑控制电路中。其小型封装和良好的电气性能使其特别适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关和信号控制。此外，该器件也可用于工业自动化控制系统中的继电器替代和小型电机控制。
2N7002, BSS138
