晶体管类型：PNP BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（2L）

MMBT5401LT1（2L）具有多种优异特性，使其在广泛的电子应用中表现出色。首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为150V，能够在较高电压环境下稳定工作，适用于需要较高耐压的电路设计。其次，最大集电极电流为100mA，适合低功率放大和开关应用。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围为110-800，提供了较高的放大能力，适用于不同放大需求的电路设计。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在极端温度条件下正常运行，适用于工业控制和汽车电子等严苛环境。其SOT-23（2L）封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备良好的散热性能，提高了整体电路的可靠性。此外，MMBT5401LT1（2L）的频率响应高达100MHz，支持高频应用，如射频放大器和高速开关电路。
　　这款晶体管还具有低饱和压降的特点，有助于减少能量损耗，提高电路效率。同时，其高稳定性和耐用性使其成为长期运行设备的理想选择。

MMBT5401LT1（2L）适用于多种电子电路设计，包括低功率放大器、开关电路、逻辑电平转换器、驱动电路以及电源管理系统。在消费电子领域，它常用于音频放大器和传感器驱动电路。在工业控制领域，该晶体管可用于继电器驱动和信号调节电路。在汽车电子系统中，它可以作为开关元件用于LED照明和电动机控制。此外，该晶体管也适用于电池供电设备、便携式电子产品和嵌入式系统。

BC847BSLT1, MMBT2907ALT1, PN2907ALT1