时间：2025/6/21 22:44:56
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BSS316N是一种N沟道小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要低功耗、高效率和快速开关特性的电子电路中。该器件采用SOT-23封装，具有较小的体积，非常适合空间受限的设计环境。
BSS316N因其出色的导通电阻和较低的栅极电荷特性而被广泛用于开关应用，如负载开关、电源管理电路、信号切换以及各种便携式设备中的功率控制。此外，其高击穿电压也使其能够适应较宽的工作电压范围。
最大漏源电压VDS：50V
最大栅源电压VGS：±20V
最大漏电流ID：0.24A
导通电阻RDS(on)：7.5Ω（典型值，在VGS=4.5V时）
栅极电荷Qg：8nC（典型值）
总功耗Ptot：330mW（在TA=25℃时）
工作温度范围TJ：-55℃至+150℃
1. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
2. 较低的导通电阻RDS(on)，减少功率损耗。
3. 高击穿电压VDS，适用于多种电压等级的应用。
4. 快速开关能力，适合高频操作。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 便携式电子设备中的电源管理。
4. 信号切换和保护电路。
5. LED驱动器中的开关元件。
6. 各种消费类电子产品中的功率控制单元。
BSS138, BS170, 2N7000
