BSS306NH6327XTSA1是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管。该器件属于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)类型,专为高频和高功率应用而设计。其封装形式为SMD表面贴装,具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能。该器件广泛应用于射频功率放大器、无线通信系统、工业加热设备以及各种需要高效率和高可靠性的场景。
由于其卓越的电气特性和紧凑的封装设计,BSS306NH6327XTSA1成为现代电子系统中不可或缺的关键组件。
型号:BSS306NH6327XTSA1
最大漏源电压(V_DS):650V
连续漏极电流(I_D):14A
脉冲漏极电流(I_P):42A
栅源电压(V_GS):±20V
导通电阻(R_DS(on)):30mΩ
输入电容(Ciss):1800pF
输出电容(Coss):45pF
开关频率:高达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
BSS306NH6327XTSA1采用了先进的GaN制造工艺,具备以下显著特性:
1. 高效能:得益于低导通电阻和快速开关能力,能够显著降低功率损耗。
2. 高耐压能力:额定漏源电压达到650V,适用于高压环境。
3. 紧凑设计:采用表面贴装封装,节省PCB空间。
4. 高可靠性:在高温条件下仍能保持稳定运行,适合工业及汽车级应用。
5. 快速开关速度:支持高达5MHz的开关频率,非常适合高频功率转换场景。
6. 良好的热性能:优化的封装设计确保了高效的热量散发,从而延长使用寿命。
该器件的主要应用领域包括:
1. 射频功率放大器:用于无线通信基站、雷达等高频设备。
2. 开关电源:如AC-DC转换器、DC-DC转换器等高效率电源系统。
3. 电机驱动:适用于电动车、家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 工业加热:如感应加热、微波炉等需要高功率输出的场合。
5. 新能源系统:太阳能逆变器、电动汽车充电器等对效率和可靠性要求极高的应用。
BSS306NHEX650T1,
BSS306NHF650DPAK,
BSS306NHG650TSA