时间：2025/6/28 11:12:47
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BSS159N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低功率开关和负载驱动电路中。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电子设备中的信号切换和功率管理任务。
其小型化封装使其非常适合空间受限的设计，同时具备较高的电流承载能力，确保了在多种应用场景下的可靠性和效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：0.6Ω（典型值，在VGS=10V时）
ID（连续漏极电流）：1A
VGS(th)（栅极开启电压）：1V~2.5V
封装形式：SOT-23
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS159N是一款性能优越的小信号MOSFET，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够减少功耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 高度集成的SOT-23封装，节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
5. 栅极电荷较低，易于驱动，减少了控制电路复杂性。
6. 具备良好的电气稳定性，长时间运行下仍能保持高性能表现。
BSS159N被广泛应用于众多领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关。
2. 电池供电产品的电源管理模块。
3. 数据通信接口保护电路。
4. 小型电机驱动与控制。
5. LED照明调光和色彩调节。
6. 各类便携式电子产品中的信号切换功能实现。
7. 汽车电子系统的辅助电路设计。
BSS138,BSS84,2N7000
