时间：2025/5/10 9:40:48
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BSS138P是一种N沟道小信号增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于英飞凌（Infineon）的BSS系列。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种便携式设备和消费类电子产品中的信号切换和负载开关应用。
BSS138P在性能上与BSS138基本一致，但可能在某些特定批次或参数上有细微差异，具体需参考数据手册。其额定电压和电流适中，非常适合低功耗设计。
最大漏源电压（VDS）：50V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：200mA
导通电阻（RDS(on)）：4.5Ω（典型值，在VGS=4.5V时）
总功耗（Ptot）：400mW
结温范围（TJ）：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻，确保高效运行并减少功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间，便于集成到紧凑型设计中。
4. 静态电流极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。
5. 可靠性高，符合工业标准，适用于多种工作条件。
1. 手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理。
2. 开关模式电源（SMPS）中的信号切换。
3. 负载开关控制，如LED驱动和传感器接口。
4. 数据通信电路保护，例如ESD保护和过流保护。
5. 消费类电子产品中的音频信号处理及逻辑电平转换。
BSS138, BSS84, PMV20XNE, 2N7000
