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BSS138LT3G 发布时间 时间:2025/7/1 21:05:42 查看 阅读:7

BSS138LT3G是一种N沟道增强型小信号MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低阈值电压、高开关速度和低导通电阻的特点,非常适合用于负载开关、逻辑电平转换以及高频开关应用。
  该器件采用SOT-23封装形式,具备出色的热性能和紧凑的尺寸,适用于空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:200mA
  脉冲漏极电流:1.1A
  阈值电压(典型值):1.65V
  导通电阻(Rds(on)):7.5Ω(在Vgs=4.5V时)
  总功耗:320mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻确保高效的开关操作。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用。
  3. 小型SOT-23封装,适合紧凑型设计。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,适应广泛的温度范围。
  5. 具有优异的静电放电(ESD)防护能力,提高器件的鲁棒性。
  6. 支持低电压驱动,兼容多种逻辑电平控制信号。

应用

1. 负载开关和电源管理。
  2. 开关电源中的同步整流。
  3. 数据通信和网络设备中的信号切换。
  4. 消费类电子产品中的音频放大器保护。
  5. 手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
  6. 驱动小型电机或LED灯等负载的开关控制。

替代型号

BSS138, BSS138W, 2N7000

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BSS138LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 欧姆 @ 200mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 25V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS138LT3G-NDBSS138LT3GOSTR