时间：2025/7/1 21:05:42
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BSS138LT3G是一种N沟道增强型小信号MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低阈值电压、高开关速度和低导通电阻的特点，非常适合用于负载开关、逻辑电平转换以及高频开关应用。
该器件采用SOT-23封装形式，具备出色的热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计环境。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：200mA
脉冲漏极电流：1.1A
阈值电压（典型值）：1.65V
导通电阻（Rds(on)）：7.5Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗：320mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保高效的开关操作。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 小型SOT-23封装，适合紧凑型设计。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适应广泛的温度范围。
5. 具有优异的静电放电（ESD）防护能力，提高器件的鲁棒性。
6. 支持低电压驱动，兼容多种逻辑电平控制信号。
1. 负载开关和电源管理。
2. 开关电源中的同步整流。
3. 数据通信和网络设备中的信号切换。
4. 消费类电子产品中的音频放大器保护。
5. 手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
6. 驱动小型电机或LED灯等负载的开关控制。
BSS138, BSS138W, 2N7000
