BSS138LT3G是一种N沟道增强型小信号MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低阈值电压、高开关速度和低导通电阻的特点,非常适合用于负载开关、逻辑电平转换以及高频开关应用。
该器件采用SOT-23封装形式,具备出色的热性能和紧凑的尺寸,适用于空间受限的设计环境。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:200mA
脉冲漏极电流:1.1A
阈值电压(典型值):1.65V
导通电阻(Rds(on)):7.5Ω(在Vgs=4.5V时)
总功耗:320mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保高效的开关操作。
2. 高速开关能力,适用于高频应用。
3. 小型SOT-23封装,适合紧凑型设计。
4. 良好的热稳定性和可靠性,适应广泛的温度范围。
5. 具有优异的静电放电(ESD)防护能力,提高器件的鲁棒性。
6. 支持低电压驱动,兼容多种逻辑电平控制信号。
1. 负载开关和电源管理。
2. 开关电源中的同步整流。
3. 数据通信和网络设备中的信号切换。
4. 消费类电子产品中的音频放大器保护。
5. 手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。
6. 驱动小型电机或LED灯等负载的开关控制。
BSS138, BSS138W, 2N7000