类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：1000A
　　最大栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：模块式封装，带绝缘底板
　　短路耐受能力：有
　　隔离电压：5000V（典型值）

5SNA1000N IGBT模块具备多项先进的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该模块采用了先进的沟槽栅结构和场截止技术，使得导通压降低至约2.1V，同时具备较低的开关损耗，提高了系统的整体效率。其次，其最大集电极-发射极电压为1200V，额定集电极电流为1000A，能够满足高电压和大电流应用的需求，如工业电机驱动、轨道交通和可再生能源系统。
　　该模块具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下提供稳定的性能，增强系统的可靠性和安全性。此外，5SNA1000N 采用模块化封装设计，带有绝缘底板，能够有效隔离高压部分，提升散热性能，延长器件寿命。其工作温度范围为-40°C至+150°C，适应各种恶劣的工业环境。
　　在封装设计上，该模块提供了良好的热管理能力，确保在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。此外，它具备较高的隔离电压（典型值5000V），适用于需要高电气安全性的系统，如变频器、UPS（不间断电源）和电能质量调节设备。

5SNA1000N 主要用于高功率电力电子系统，包括工业变频器、伺服驱动器、电能质量调节设备（如无功补偿器和有源滤波器）、电动车辆牵引系统、风力发电和太阳能逆变器等。由于其高耐压、大电流能力和优异的热管理性能，该模块特别适合于需要高效能和高可靠性的工业和能源应用。此外，该模块也常用于轨道交通中的牵引变流器，提供稳定高效的电力转换能力。

CM1000HA-12N, FF1000R12IP4, SKM1000GB128D