时间：2025/4/30 19:55:45
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BSS138K 是一种 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于模拟和数字电路中的开关和放大应用。BSS138K 的封装形式一般为 SOT-23，这使得它非常适合空间受限的应用场景。其主要特点是低栅极电荷、快速开关性能以及良好的导通电阻特性。
由于 BSS138K 具有较低的导通电阻和出色的开关速度，因此在便携式设备、电池供电设备以及其他对功耗敏感的应用中非常受欢迎。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
导通电阻（Rds(on)）：5.4Ω（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：2nC
工作结温范围：-55℃至+150℃
BSS138K 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有以下关键特性：
1. 高开关速度：由于其低栅极电荷特性，能够实现快速开关，适用于高频应用。
2. 低导通电阻：Rds(on) 在典型条件下仅为 5.4Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 小尺寸封装：采用 SOT-23 封装，适合高密度设计和小型化产品。
4. 宽工作温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内可靠运行，适应各种恶劣环境。
5. 良好的静电防护能力：内置 ESD 保护设计，增强了器件的可靠性。
BSS138K 广泛应用于多种电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 各种保护电路，如过流保护、短路保护等。
4. 通信设备中的信号切换。
5. 工业控制中的驱动电路和接口电路。
6. 消费类电子产品中的音频信号处理和放大功能。
BSS138
BSS84
2N7000
