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BSS138K 发布时间 时间:2025/4/30 19:55:45 查看 阅读:29

BSS138K 是一种 N 沟道增强型小信号 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于模拟和数字电路中的开关和放大应用。BSS138K 的封装形式一般为 SOT-23,这使得它非常适合空间受限的应用场景。其主要特点是低栅极电荷、快速开关性能以及良好的导通电阻特性。
  由于 BSS138K 具有较低的导通电阻和出色的开关速度,因此在便携式设备、电池供电设备以及其他对功耗敏感的应用中非常受欢迎。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:200mA
  导通电阻(Rds(on)):5.4Ω(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:2nC
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BSS138K 属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有以下关键特性:
  1. 高开关速度:由于其低栅极电荷特性,能够实现快速开关,适用于高频应用。
  2. 低导通电阻:Rds(on) 在典型条件下仅为 5.4Ω,有助于降低导通损耗并提高效率。
  3. 小尺寸封装:采用 SOT-23 封装,适合高密度设计和小型化产品。
  4. 宽工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内可靠运行,适应各种恶劣环境。
  5. 良好的静电防护能力:内置 ESD 保护设计,增强了器件的可靠性。

应用

BSS138K 广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
  2. 电池管理系统的负载开关。
  3. 各种保护电路,如过流保护、短路保护等。
  4. 通信设备中的信号切换。
  5. 工业控制中的驱动电路和接口电路。
  6. 消费类电子产品中的音频信号处理和放大功能。

替代型号

BSS138
  BSS84
  2N7000

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BSS138K参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds58pF @ 25V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS138KTR