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BSS138G-AE2-R 发布时间 时间:2025/5/28 16:07:38 查看 阅读:11

BSS138G-AE2-R是一款N沟道增强型小信号MOSFET(场效应晶体管)。它通常用于低功率开关和负载驱动应用。该器件采用SOT23封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种便携式设备和消费类电子产品中的开关和保护电路。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅>最大漏极电流:0.5A
  导通电阻:6.5Ω
  总功耗:270mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BSS138G-AE2-R具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为6.5Ω,从而减少功耗并提高效率。
  2. 高开关速度,使其非常适合高频应用。
  3. 小型化的SOT23封装,节省PCB板空间。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下可靠运行。
  5. 栅极电荷较低,便于驱动。
  6. 符合RoHS标准,环保设计。

应用

BSS138G-AE2-R广泛应用于以下领域:
  1. 电池供电设备中的负载开关。
  2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理。
  3. 过流保护和短路保护电路。
  4. 数据通信接口的ESD保护。
  5. 小功率电机控制和驱动。
  6. 各种消费类电子产品的信号切换功能。

替代型号

BSS138, BSS84, 2N7000

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