时间：2025/5/28 16:07:38
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BSS138G-AE2-R是一款N沟道增强型小信号MOSFET（场效应晶体管）。它通常用于低功率开关和负载驱动应用。该器件采用SOT23封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种便携式设备和消费类电子产品中的开关和保护电路。
最大漏源电压：40V
最大栅>最大漏极电流：0.5A
导通电阻：6.5Ω
总功耗：270mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS138G-AE2-R具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为6.5Ω，从而减少功耗并提高效率。
2. 高开关速度，使其非常适合高频应用。
3. 小型化的SOT23封装，节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围，能够在极端环境下可靠运行。
5. 栅极电荷较低，便于驱动。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
BSS138G-AE2-R广泛应用于以下领域：
1. 电池供电设备中的负载开关。
2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理。
3. 过流保护和短路保护电路。
4. 数据通信接口的ESD保护。
5. 小功率电机控制和驱动。
6. 各种消费类电子产品的信号切换功能。
BSS138, BSS84, 2N7000
