BSS138G-AE2-R是一款N沟道增强型小信号MOSFET(场效应晶体管)。它通常用于低功率开关和负载驱动应用。该器件采用SOT23封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种便携式设备和消费类电子产品中的开关和保护电路。
最大漏源电压:40V
最大栅>最大漏极电流:0.5A
导通电阻:6.5Ω
总功耗:270mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
BSS138G-AE2-R具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为6.5Ω,从而减少功耗并提高效率。
2. 高开关速度,使其非常适合高频应用。
3. 小型化的SOT23封装,节省PCB板空间。
4. 较宽的工作温度范围,能够在极端环境下可靠运行。
5. 栅极电荷较低,便于驱动。
6. 符合RoHS标准,环保设计。
BSS138G-AE2-R广泛应用于以下领域:
1. 电池供电设备中的负载开关。
2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理。
3. 过流保护和短路保护电路。
4. 数据通信接口的ESD保护。
5. 小功率电机控制和驱动。
6. 各种消费类电子产品的信号切换功能。
BSS138, BSS84, 2N7000