时间：2025/7/9 12:40:32
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BSS138-TP是一款N沟道增强型小信号MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高静电放电（ESD）耐受能力等特性，非常适合用作开关或放大用途的通用晶体管。其表面贴装封装形式使其在空间受限的应用中非常实用。
BSS138-TP属于飞利浦半导体（现为恩智浦半导体）的产品系列，设计用于需要高性能、高可靠性的便携式设备和其他低功耗应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：0.4A
最大脉冲漏极电流：1.2A
导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：330mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS138-TP的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，该器件还具备快速开关能力，适合高频应用。其较高的静电放电保护等级也增强了器件的可靠性。
该晶体管的紧凑封装形式（SOT-23）使其非常适合于印刷电路板上的表面安装技术，同时它的小尺寸也有助于简化设计过程并降低整体成本。
BSS138-TP的其他优点包括良好的热稳定性和较低的噪声水平，这些特性使得该晶体管能够在广泛的条件下保持稳定的性能。
BSS138-TP适用于多种应用场合，例如电源管理、信号切换、负载开关以及音频电路中的小型信号处理。
常见应用包括电池供电设备中的电源开关、便携式电子产品中的信号调节电路、工业控制中的逻辑电平转换器以及消费类电子产品中的过流保护电路。
由于其低功耗特性和高可靠性，BSS138-TP也经常被用于汽车电子系统中的一些非关键功能模块，如LED驱动和传感器接口电路。
BSS138
BSS84
2N7000
FDC6572
