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HD404888B21TE 发布时间 时间:2025/9/7 2:54:12 查看 阅读:10

HD404888B21TE是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中。该芯片设计用于提供高速数据访问和可靠的存储性能,适用于计算机、服务器、嵌入式系统和其他需要临时数据存储的设备。HD404888B21TE采用先进的半导体制造工艺,具有低功耗和高集成度的特点。

参数

容量:4M x 8(32MB)
  组织结构:4M地址 x 8位数据
  电源电压:3.3V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  时钟频率:166MHz

特性

HD404888B21TE的特性之一是其高容量和高速访问能力,使其适用于需要大量临时存储的应用。该芯片的32MB容量和55ns的访问时间确保了快速的数据读写操作,能够满足高性能系统的需求。
  另一个重要特性是其低功耗设计,这使得HD404888B21TE非常适合用于对功耗敏感的设备,如便携式电子产品和嵌入式系统。此外,该芯片的3.3V电源电压符合行业标准,确保了与其他电子元件的兼容性。
  HD404888B21TE采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。54引脚的封装设计简化了与主板的连接,并减少了信号干扰的可能性。
  该芯片还支持工业级的工作温度范围,确保在各种环境条件下都能稳定运行。无论是用于工业设备还是消费电子产品,HD404888B21TE都能提供可靠的数据存储解决方案。

应用

HD404888B21TE广泛应用于需要高性能存储的设备中,如个人计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统。它特别适用于需要高速数据处理的应用,如图形处理、视频编码和解码,以及实时数据存储。
  在嵌入式系统中,该芯片可用于提供临时存储空间,支持设备的运行和数据缓存。由于其低功耗特性,HD404888B21TE也常用于便携式设备,如平板电脑、手持终端和智能家电。

替代型号

TC55V408B21FT-55 | CY62148VLLA15ZS
  IS61LV25616-10B4B
  M5M54880A-60

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