时间：2025/7/9 1:58:21
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BSS127是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于需要低导通电阻和快速开关性能的电路中。BSS127通常用于消费类电子设备、通信设备以及工业控制等场景中的开关和放大应用。其特点是低功耗、高可靠性和较小的封装尺寸，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.14A
漏源导通电阻：220Ω
栅极电荷：3nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS127具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
其栅极输入阻抗极高，因此驱动电流需求很小，适合与数字逻辑电路直接接口。
由于其快速的开关速度，BSS127在高频应用中表现出色，例如脉宽调制（PWM）和D类音频放大器。
它还具备较高的静电放电（ESD）耐受能力，增强了器件的可靠性。
BSS127采用小型SOT-23封装，有助于节省PCB板空间。
BSS127适用于多种电子电路应用，包括但不限于负载开关、电源管理模块、信号切换、电池保护电路、便携式设备中的电源控制以及各类消费电子产品中的低功率开关功能。此外，它还可以用作精密模拟开关或小型电机驱动中的关键元件。
BSS84, BSS123, 2N7000
