时间：2025/7/16 10:05:00
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BSS123Q-7是一种N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），广泛的电子电路中。该器件采用SOT-23封装形式，具有较小的体积和良好的电气性能，适合于各种便携式设备及空间受限的设计。
BSS123Q-7在电源管理、信号切换以及负载驱动等应用领域表现优异，同时具备较低的导通电阻和较高的开关速度。由于其工作电压范围较宽，适用于多种不同的电路配置。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±10V
最大漏极电流：200mA
导通电阻（Rds(on)）：2.8Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS123Q-7的主要特性包括以下几点：
1. 小巧的SOT-23封装，便于集成到紧凑型设计中。
2. 低导通电阻保证了较小的功率损耗，从而提升了整体效率。
3. 高开关速度使其适用于高频应用场景。
4. 宽工作温度范围确保了其在极端环境下的稳定性。
5. 较高的最大栅源电压容限增强了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，满足环保要求。
BSS123Q-7适用于以下典型应用：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 各类负载开关和信号切换电路。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. LED驱动和小型电机控制。
5. 数字电路中的逻辑电平转换。
6. 保护电路中的过流检测与限制功能。
7. 手机、平板电脑及其他消费类电子产品中的小型化解决方案。
BSS123,BSS138,BS170
