BSS123-AU 是一款由英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):170mA
导通电阻(RDS(on)):最大值2.8Ω @ VGS=10V
功率耗散(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
BSS123-AU MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下最小的功率损耗,从而提高整体系统效率。
该器件支持高达100V的漏源电压,适用于中高压开关应用。栅源电压范围为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,适合与多种控制IC配合使用。
此外,BSS123-AU采用了SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。其300mW的功耗设计确保在正常工作条件下不会出现显著的热问题,同时能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行,适用于各种工业和消费类应用场景。
由于其优异的高频特性,该MOSFET非常适合用于开关电源(SMPS)中的高频开关元件,能够有效减少开关损耗并提高响应速度。
BSS123-AU MOSFET广泛应用于多种电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路、LED驱动器以及工业自动化设备中的信号切换。
此外,它也适用于便携式设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用于控制不同功能模块的供电状态,以实现节能和高效运行。
在汽车电子系统中,该器件可用于车载充电器、车身控制模块以及各种传感器接口电路,提供可靠的开关性能。
2N7002, BSS138, FDN337N, SI2302DS