BSS123-AU 时间：2025/8/14 15:56:10 阅读：32

BSS123-AU 是一款由英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：170mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值2.8Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BSS123-AU MOSFET具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下最小的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　该器件支持高达100V的漏源电压，适用于中高压开关应用。栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适合与多种控制IC配合使用。
　　此外，BSS123-AU采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其300mW的功耗设计确保在正常工作条件下不会出现显著的热问题，同时能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种工业和消费类应用场景。
　　由于其优异的高频特性，该MOSFET非常适合用于开关电源（SMPS）中的高频开关元件，能够有效减少开关损耗并提高响应速度。

应用

BSS123-AU MOSFET广泛应用于多种电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路、LED驱动器以及工业自动化设备中的信号切换。
　　此外，它也适用于便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，用于控制不同功能模块的供电状态，以实现节能和高效运行。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、车身控制模块以及各种传感器接口电路，提供可靠的开关性能。