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BSS123-7-F 发布时间 时间：2022/11/21 17:16:08 查看 阅读：457

    制造商：DiodesInc.

    产品种类：MOSFET小信号

    RoHS：是

    配置：Single

    晶体管极性：N-Channel

    电阻汲极/源极RDS（导通）：10Ohms

    

目录

概述

    制造商：DiodesInc.

    产品种类：MOSFET小信号

    RoHS：是

    配置：Single

    晶体管极性：N-Channel

    电阻汲极/源极RDS（导通）：10Ohms

    正向跨导gFS（最大值/最小值）：0.08S

    汲极/源极击穿电压：100V

    闸/源击穿电压：+/-20V

    漏极连续电流：170mA

    功率耗散：0.3W

    最大工作温度：+150C

    安装风格：SMD/SMT

    封装/箱体：SOT-23

    封装：Reel

    最小工作温度：-55C

    StandardPackQty：3000


资料

厂商
Diodes Incorporated

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BSS123-7-F产品

BSS123-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 170mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS123-FDITR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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