时间：2025/8/16 19:53:32
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BSS123是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用SOT-23封装，广泛应用于低压开关和逻辑电路中的信号控制。该器件具备快速开关特性和低导通电阻，适合用于小型电子设备和便携式电子产品中的电源管理和负载切换。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100mA
最大漏-源电压：100V
最大栅-源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：约5Ω
栅极电荷：约1.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
BSS123 MOSFET具有多种优良特性，适用于广泛的电子应用。其主要特性之一是低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够实现较低的功率损耗，提高整体系统效率。此外，BSS123的最大漏极电流为100mA，适用于中低功率应用，例如信号切换、小型电机控制和LED驱动等。
另一个显著特性是其高最大漏-源电压额定值为100V，使其能够在较高的电压环境下稳定运行，适用于需要较高电压隔离的电路设计。栅-源电压的最大额定值为20V，确保器件在常见逻辑电平控制下可以正常工作，同时具备较强的抗电压冲击能力。
此外，BSS123采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻的特点，非常适合用于空间受限的便携式设备中。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，有助于减少开关损耗并提高响应速度。综合来看，BSS123是一款性能稳定、适用性广的MOSFET器件。
BSS123通常用于低压开关控制、逻辑电路中的信号切换以及小型电子设备的电源管理。在便携式电子产品中，它常用于电池供电系统的负载切换，以降低功耗并延长电池寿命。此外，该器件还可用于驱动小型继电器、LED显示屏以及低功率电机控制电路。由于其快速开关能力和高电压耐受性，BSS123也适用于需要较高频率操作的信号处理和通信设备。
2N7000, BS170, IRLML6401
