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BSR92PH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/5/19 8:51:18 查看 阅读:4

BSR92PH6327XTSA1 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能耗并提升系统的整体性能。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)。它具备出色的热性能和电气特性,适用于各种高功率密度的设计。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:100nC
  输入电容:2800pF
  总功耗:320W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高耐压能力,支持高达 650V 的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(45mΩ),有效减少传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(100nC),可实现高频操作。
  4. 强大的散热性能,适合高功率密度的应用场景。
  5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应极端环境条件。
  6. 表面贴装封装(TO-263/D2PAK),简化 PCB 设计并提高可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动汽车充电桩
  7. LED 照明驱动
  8. 其他需要高效率功率切换的应用

替代型号

IRFP260N
  STP32NF65
  FDP18N65C3

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BSR92PH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.29000剪切带(CT)3,000 : ¥1.53062卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)140mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.8V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 欧姆 @ 140mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 130μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)109 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SC59-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3