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BSR41,115 发布时间 时间:2025/9/14 16:21:08 查看 阅读:3

BSR41,115 是由 NXP Semiconductors 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件广泛应用于开关电路和放大电路中,具备良好的性能和可靠性。BSR41,115 采用 SOT23 封装形式,适用于表面贴装技术(SMT),因此在现代电子设备中具有很高的适用性。这款晶体管的设计使其能够处理中等功率的应用,同时保持较低的功耗。

参数

类型: NPN 双极型晶体管
  集电极-发射极电压 (Vceo): 40V
  集电极-基极电压 (Vcbo): 50V
  发射极-基极电压 (Vebo): 5V
  最大集电极电流 (Ic): 100mA
  最大功耗 (Ptot): 300mW
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  封装类型: SOT23

特性

BSR41,115 具备多项优良的电气特性,适合多种应用场景。其最大集电极-发射极电压(Vceo)为 40V,能够满足多数中低压电路的需求。晶体管的集电极电流(Ic)最大为 100mA,适用于信号放大和小功率开关应用。
  该器件的最大功耗为 300mW,能够在较高的温度环境下稳定运行。此外,BSR41,115 的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,使其在极端温度条件下也能保持良好的性能。
  采用 SOT23 封装形式,BSR41,115 占用电路板空间较小,适合高密度 PCB 设计。SOT23 是一种常见的表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化生产和回流焊工艺。
  在电气特性方面,BSR41,115 的增益(hFE)表现出色,能够在不同的工作条件下保持稳定的放大倍数。这种特性使其在模拟信号放大和数字开关电路中都具有广泛的应用。
  BSR41,115 的设计确保了其良好的开关性能,响应速度快,延迟时间短,非常适合用于需要高频操作的电路。此外,其较低的饱和压降(Vce_sat)也进一步降低了功耗,提高了能效。

应用

BSR41,115 可用于多种电子设备和电路设计中。例如,在放大电路中,它可以作为信号放大器,用于增强输入信号的强度。在开关电路中,BSR41,115 可用于控制负载的通断,如继电器、LED 和小型电机等。
  该晶体管还常用于数字电路中的逻辑门设计,以及在传感器电路中作为信号处理单元。此外,BSR41,115 在电源管理电路中也发挥着重要作用,如电压调节和电流控制。
  由于其 SOT23 封装的紧凑设计,BSR41,115 特别适合在空间受限的便携式电子产品中使用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。同时,它在工业控制设备、自动化系统和汽车电子中也有广泛的应用。
  在射频(RF)电路中,BSR41,115 可用于低噪声放大器(LNA)的设计,提供高效的信号放大功能。此外,它还可用于音频放大器和其他模拟信号处理电路中。

替代型号

BC847, 2N3904, PN2222

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BSR41,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大1.35W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6879-6