时间：2025/9/14 17:18:47
阅读：11
BSR33,135 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，内部集成两个独立的NPN晶体管。该晶体管阵列适用于多种通用开关和放大应用，具有高可靠性、紧凑封装和良好的电气性能，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型：NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP
引脚数：6
BSR33,135 是一款高性能双晶体管阵列，具有以下显著特性：
首先，该器件内部集成了两个完全独立的NPN晶体管，使得在电路设计中可以节省空间并减少外部元件数量，提高系统集成度。每个晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，根据具体需求可选择不同档位，适用于多种放大和开关应用。
其次，该器件采用TSSOP封装，具有体积小、重量轻和良好的热稳定性，非常适合在高密度PCB设计中使用。其最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压为50V，能够满足多数低压电子系统的应用需求。
BSR33,135 广泛应用于多个电子领域，尤其适合需要双晶体管配置的电路设计。其典型应用包括数字开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制、音频放大器前置级、传感器信号调理电路等。
在数字电路中，BSR33,135 可用于驱动MOSFET栅极或作为缓冲器，提高电路的驱动能力和响应速度。在LED或小型继电器控制中，该器件能够以较低的输入电流控制较大的负载电流，实现高效的开关控制。
此外，BSR33,135 也常用于接口电路中，作为不同电压域之间的电平转换器，例如将微控制器的5V信号转换为12V信号以驱动外部设备。在工业控制系统中，由于其良好的温度特性和可靠性，也常被用于PLC模块、仪表和通信设备中。
总之，BSR33,135 凭借其双晶体管结构、紧凑封装和优异的电气性能，广泛适用于各种通用电子系统设计。
MUN5211DW1T1G, BCR415S, BSS138
