BSR32 时间：2025/9/15 0:42:48 阅读：17

BSR32是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的技术，具备较低的导通电阻和优秀的热性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等领域。BSR32的封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A（在Tc=100℃时）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.7mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散：130W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

BSR32的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。这种MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，确保了在高电流下的稳定性能。此外，BSR32具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持可靠性。
　　另一个显著特性是其热性能优越。由于采用了高效的散热封装设计，BSR32能够在较高的工作温度下保持稳定的电气性能，适用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　BSR32的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），兼容多种驱动电路，同时具备良好的抗干扰能力。其封装设计也便于焊接和自动化生产。

应用

BSR32广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中，例如服务器和通信设备的电源模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，该器件也常用于工业自动化控制、电动工具和高功率LED照明系统中。
　　在电源管理方面，BSR32因其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高效率的同步降压转换器。在电机控制应用中，它能够提供足够的电流容量和良好的热稳定性，以确保系统在高负载下的可靠运行。