类型：NPN双极型晶体管
　　封装类型：SOT-428
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为110（hFE分档可选）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　输入电容（Cob）：6.5pF（典型值，Vcb=5V）

BSPS4255TTR 是一款高性能NPN晶体管，专为高频应用设计。其主要特性之一是具备高达250MHz的过渡频率（fT），这使其在射频放大器和高速开关电路中表现出色。此外，该晶体管具有较低的寄生电容，例如输入电容（Cob）仅为6.5pF，有助于减少高频信号的损耗和失真。其SOT-428封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具有良好的热稳定性和机械可靠性。
　　该器件的电流增益（hFE）在Ic=2mA时典型值为110，并根据不同的增益档次提供不同的hFE范围，便于设计人员根据具体应用需求进行选择。BSPS4255TTR 的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，适用于中等功率的模拟和射频电路设计。
　　另外，该晶体管具有较高的最大功耗（300mW），能够在一定的工作条件下保持稳定运行。其工作温度范围宽，最高可达150°C，适合在较为严苛的环境条件下使用。

BSPS4255TTR 广泛应用于射频（RF）和模拟电路设计领域。由于其高频性能优异，常用于射频放大器、射频信号发生器、频率合成器和射频接收前端等电路中。在无线通信系统中，如GSM、CDMA、Wi-Fi和蓝牙模块中，该晶体管可用于射频功率放大和信号调制解调。
　　此外，BSPS4255TTR 也适用于高速开关电路和数字逻辑电路中的驱动级设计。其低输入电容和高增益特性使其在高速信号处理和放大电路中表现出色，特别适合于低噪声前置放大器和中频放大器的设计。
　　由于采用SOT-428封装，该晶体管还广泛用于表面贴装技术（SMT）的电子产品中，如便携式通信设备、传感器模块、工业控制系统和消费类电子产品中的模拟信号处理部分。

BCW66H, BFQ59, 2N3904