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BSPS3255TNCR 发布时间 时间:2025/8/30 21:23:30 查看 阅读:11

BSPS3255TNCR 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的技术,提供优异的导通电阻和开关性能,适用于各种高要求的电源系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大漏极电流(ID):20A
  导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):23nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6

特性

BSPS3255TNCR MOSFET具有低导通电阻特性,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其PowerFLAT 5x6封装设计不仅提供了优异的热性能,还具备较小的PCB占板面积,适合高密度设计。该器件的栅极电荷较低,有助于实现快速开关操作,减少开关损耗,从而提高电源系统的效率和可靠性。
  此外,BSPS3255TNCR具备优异的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,提高系统的鲁棒性。其内部结构设计优化了电场分布,减少了热点形成的可能性,从而增强了器件的长期可靠性。该MOSFET还符合RoHS环保标准,适用于各种绿色环保电子设备。

应用

BSPS3255TNCR广泛应用于多种电源管理领域,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高效能特性也使其适用于服务器电源、电信设备和高功率LED照明系统等对效率和热管理要求较高的应用场景。

替代型号

IPD32N03C3, STD32NM03T3, STL32N03LT3

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BSPS3255TNCR参数

  • 制造商Cooper Bussmann