时间：2025/8/30 21:23:30
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BSPS3255TNCR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于各种高要求的电源系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：23nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
BSPS3255TNCR MOSFET具有低导通电阻特性，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其PowerFLAT 5x6封装设计不仅提供了优异的热性能，还具备较小的PCB占板面积，适合高密度设计。该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，从而提高电源系统的效率和可靠性。
此外，BSPS3255TNCR具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高系统的鲁棒性。其内部结构设计优化了电场分布，减少了热点形成的可能性，从而增强了器件的长期可靠性。该MOSFET还符合RoHS环保标准，适用于各种绿色环保电子设备。
BSPS3255TNCR广泛应用于多种电源管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高效能特性也使其适用于服务器电源、电信设备和高功率LED照明系统等对效率和热管理要求较高的应用场景。
IPD32N03C3, STD32NM03T3, STL32N03LT3
