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BSP615S2L 发布时间 时间:2025/6/30 17:10:27 查看 阅读:8

BSP615S2L是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于各种功率转换应用。它通常应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场合。
  BSP615S2L采用了TO-252封装形式(DPAK),这使其能够很好地适应表面贴装技术(SMT)的要求,同时具备优良的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关时间:ton=18ns, toff=22ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSP615S2L拥有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在额定条件下可降低至90mΩ,从而减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,其短的开关时间和小的栅极电荷使得该MOSFET非常适合高频应用。
  3. 较宽的工作温度范围,从-55℃到+150℃,能够在极端环境下可靠运行。
  4. 良好的热稳定性和抗雪崩能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 小巧的TO-252封装形式支持表面贴装,并提供出色的散热性能。

应用

BSP615S2L适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC/DC适配器和充电器。
  2. DC/DC转换器中的同步整流和主开关管。
  3. 电机驱动电路,控制小型直流电机或步进电机。
  4. 各种负载开关和保护电路,确保系统安全。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品中的电池管理单元。

替代型号

BSP614S2L, IRF7404, AO3400

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BSP615S2L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 12μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)330 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.8W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT223-4
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA