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BSP52,115 发布时间 时间:2025/5/12 14:25:51 查看 阅读:12

BSP52,115 是一款 N 沣道晶体管,属于功率 MOSFET 类型。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种电源管理应用。它通常被用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。
  BSP52,115 的设计使其能够在高频工作条件下保持高效的性能,同时具备良好的热稳定性和可靠性。其封装形式为 SOT-223,适合表面贴装技术(SMT),从而节省了电路板的空间。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:7A
  导通电阻:0.08Ω
  栅极电荷:14nC
  总功耗:2.6W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

BSP52,115 具有以下显著特性:
  1. 高效的开关性能,适用于高频应用。
  2. 极低的导通电阻,减少功率损耗。
  3. 高电流处理能力,支持大功率负载。
  4. 良好的热稳定性,可在较宽的温度范围内可靠运行。
  5. 小巧的 SOT-223 封装,适合紧凑型设计。
  6. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高整体效率。

应用

BSP52,115 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 各种电机驱动电路,包括步进电机和直流无刷电机。
  4. 过流保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率控制元件。
  6. 其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP70NF06
  FDP5580
  AO3400

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BSP52,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.3V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SC-73
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6223-6