BSP315P是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的雪崩能力等特性,适用于多种高频开关应用和功率转换场景。其额定电压为100V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备较低的导通损耗,有助于提高整体系统效率。
BSP315P广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载切换等领域。此外,由于其卓越的热性能和可靠性,它也非常适合在恶劣环境下使用。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:4.8mΩ
栅极电荷:19nC
反向恢复时间:44ns
结温范围:-55℃至175℃
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升效率。
2. 快速开关性能,可支持高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
5. TO-263封装提供良好的散热性能,适合大功率应用。
6. 支持高温操作,最高结温可达175℃,适应严苛的工作条件。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 可再生能源系统中的逆变器组件。
6. 汽车电子中需要高效功率管理的应用场景。
BSP296P, IRFZ44N, FDP5500